山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


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氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(cháng)設備 臥式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(cháng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(cháng)

氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(cháng)設備 立式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(cháng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(cháng)

PVT單晶生長(cháng)設備

? 本設備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長(cháng)

SiC籽晶粘接設備

? 籽晶的粘接工藝技術(shù)是將SiC籽晶通過(guò)有機膠粘接在石墨紙上,提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高品質(zhì)SiC晶體生長(cháng)的首要前提。

MPCVD設備

? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

SiC高溫氧化設備

? 專(zhuān)門(mén)用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實(shí)現SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

SiC高溫退火設備

? 專(zhuān)門(mén)用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實(shí)現SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

坩堝下降設備

◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長(cháng) ◆ 設備由機架、安部支撐機構、加熱器和控制系統組成 ◆ 能夠實(shí)現安移動(dòng)和轉動(dòng)的精確控制

LPCVD 臥式

? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(cháng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過(guò)程是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長(cháng)的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)

LPCVD 立式

? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(cháng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過(guò)程是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長(cháng)的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)

PECVD 臥式

? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長(cháng),工作原理是在低壓引入高頻射頻電源,采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電,形成等離子體狀態(tài),產(chǎn)生大量的活性基團,這些活性基團在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應并沉積到襯底表面,生長(cháng)出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜

氧化/擴散設備

? 該設備是半導體生產(chǎn)線(xiàn)前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要,具有生長(cháng)效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點(diǎn) ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優(yōu)點(diǎn) ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場(chǎng)氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝

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